输出电压：4.2V
　　 输出电流：150mA
　　 输入电压范围：1.5V ~ 6.0V
　　 压差电压：典型值为200mV @ 150mA负载
　　 静态电流：典型值为45μA
　　 温度系数：±100ppm/℃
　　 输出电压精度：±1.0%
　　 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
　　 封装类型：DFN-6

XC612N4216DR-G 具备多项关键特性，使其在低功耗应用中表现出色。首先，其低静态电流（典型值为45μA）使得该器件非常适合用于电池供电设备，有助于延长电池寿命。其次，XC612N4216DR-G 的低压差特性（典型值为200mV）能够在输入电压接近输出电压时仍保持稳定输出，提高了电源转换效率。此外，该LDO具备出色的负载和线路瞬态响应，能够在负载变化时迅速调整输出电压，维持系统的稳定性。XC612N4216DR-G 还内置了多种保护机制，包括过电流保护、过热关断和欠压锁定功能，确保芯片在异常情况下不会损坏。DFN-6 封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能，适用于高密度PCB设计。此外，该器件在设计上采用了无电容输出结构，可以省去外部输出电容，简化外围电路设计，提高整体系统的可靠性。
　　XC612N4216DR-G 的输出电压为4.2V，专为锂离子电池充电系统中的稳定电压需求而设计。它能够为蓝牙耳机、智能手表、穿戴式设备、便携式医疗设备以及各类传感器模块提供稳定可靠的电源。

XC612N4216DR-G 主要用于对空间、功耗和稳定性要求较高的便携式电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、蓝牙耳机、健康监测设备、手持式仪表、传感器节点和小型电池供电系统。该LDO也可用于为微控制器、无线模块、音频放大器和其他敏感模拟电路提供干净稳定的电源。由于其出色的稳定性和低噪声特性，XC612N4216DR-G 也适用于射频模块和高精度ADC/DAC电路的供电。

XC622B4216DR-G, XC6215B421MR, XC6204B421MR, XC6216B421MR