时间：2025/7/23 13:30:21
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STP21N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于STPOWER系列，采用先进的MDmesh M5技术，具有高效率和低导通损耗的特点。该器件适用于高电压和中高功率的应用场景，例如电源转换器、电机控制、照明系统和工业自动化设备。STP21N65M5封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：21A
最大漏源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：0.175Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：37nC
输入电容（Ciss）：950pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
STP21N65M5采用MDmesh M5技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，提高了整体效率。其高耐压能力（650V）使其适用于多种高电压应用。该器件的低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高开关频率和系统效率。此外，STP21N65M5具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽泛（通常为10V），使得其能够与多种驱动电路兼容。STP21N65M5还具备出色的短路耐受能力，增强了其在严苛工作条件下的稳定性。
STP21N65M5广泛应用于多种高电压和中高功率的电子系统中，例如AC/DC电源转换器、DC/DC变换器、UPS不间断电源、工业电机控制和LED照明驱动电源。其高效率和低损耗特性使其成为高功率密度电源设计的理想选择。此外，该器件也适用于电池充电器、逆变器、太阳能逆变器以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。
STP21N65M5F, STW21N65M5, STP17N65M5
