时间：2025/7/23 16:11:11
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STW13NK60Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电压、高电流的开关应用。该器件采用先进的技术制造，具备优异的导通特性和低开关损耗，适用于各种电源管理、工业控制和电机驱动系统。STW13NK60Z 的最大漏极电压为600V，额定漏极电流为13A，能够提供稳定的性能和高效的能量转换。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：13A（在TC=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：26nC
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：60W
STW13NK60Z 具备多项优异特性，使其在高电压和高电流应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的平面条纹和工艺技术，提供了低导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的高速开关能力使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制应用。STW13NK60Z 的栅极电荷（Qg）较低，减少了开关过程中的能量损耗，提高了响应速度。该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐久性。
STW13NK60Z 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。该封装还提供了机械强度和电气隔离能力，适用于工业级应用。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，防止器件损坏。这种特性使其适用于负载切换、电机控制和电源管理系统等需要高可靠性的场景。
STW13NK60Z 的设计使其适用于多种拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器，以及电机驱动和逆变器应用。其高耐压能力和良好的热管理性能，使其成为工业自动化、家用电器、照明系统和消费类电子设备中的理想选择。
STW13NK60Z 广泛应用于多个领域，包括工业自动化、电源管理、家电控制、照明系统和消费电子产品。在工业领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、变频器、伺服电机驱动器和逆变器。在家用电器中，STW13NK60Z 可用于微波炉、洗衣机、空调压缩机等需要高效率功率开关的设备。此外，该MOSFET也适用于LED驱动电源、电子镇流器和智能电表等应用。由于其具备良好的高频响应和低导通损耗，STW13NK60Z 也常用于高效能电源转换模块，如电池充电器、DC-AC逆变器和太阳能逆变器。
STW15NK60Z, STW11NK60Z, STP12NK60Z
