AO4818B是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的功率转换和负载开关应用。
AO4818B采用DFN5*6-8L封装形式,具备出色的散热性能和小型化特点,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:24A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:38nC
总电容:1400pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AO4818B具有非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外,其快速的开关速度使其适合高频应用,同时保持较低的开关损耗。
这款MOSFET还拥有良好的热稳定性和耐雪崩能力,能够承受瞬时过载条件下的高能量冲击。
由于采用了DFN5*6-8L封装,AO4818B在提供高性能的同时还能节省PCB板上的宝贵空间。
AO4818B广泛应用于各种需要高效功率管理的场合,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC/DC转换器
3. 负载开关
4. 电机驱动
5. 工业逆变器
6. 消费类电子产品中的电池管理单元
其低导通电阻和高电流处理能力使它成为这些应用的理想选择。
AO4818
IRL540N
FDP5800