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AO4818B 发布时间 时间:2025/5/19 19:16:31 查看 阅读:28

AO4818B是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的功率转换和负载开关应用。
  AO4818B采用DFN5*6-8L封装形式,具备出色的散热性能和小型化特点,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容:1400pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4818B具有非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外,其快速的开关速度使其适合高频应用,同时保持较低的开关损耗。
  这款MOSFET还拥有良好的热稳定性和耐雪崩能力,能够承受瞬时过载条件下的高能量冲击。
  由于采用了DFN5*6-8L封装,AO4818B在提供高性能的同时还能节省PCB板上的宝贵空间。

应用

AO4818B广泛应用于各种需要高效功率管理的场合,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC/DC转换器
  3. 负载开关
  4. 电机驱动
  5. 工业逆变器
  6. 消费类电子产品中的电池管理单元
  其低导通电阻和高电流处理能力使它成为这些应用的理想选择。

替代型号

AO4818
  IRL540N
  FDP5800

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AO4818B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1059-6