D5C060-12 时间：2025/7/19 8:03:38 阅读：13

D5C060-12 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET，专为高效能开关应用设计。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源转换、电机控制和DC-DC转换器等多种电力电子应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
　　栅极电荷（Qg）：15nC
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

D5C060-12 具备低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高开关速度使其适用于高频开关应用，同时具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，其坚固的封装设计提供了优异的机械强度和散热性能，确保在恶劣工作环境下的可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在突发高电压或电流情况下保持器件安全，延长使用寿命。其低栅极电荷特性有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度和效率。
　　在制造工艺方面，D5C060-12采用先进的硅片技术和封装材料，确保了器件在高温下的稳定运行，并具备出色的抗湿热性能，适合各种工业和消费类应用。