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BD140G 发布时间 时间：2022/12/7 16:54:05 查看 阅读：953

    类别：分离式半导体产品

    家庭：晶体管(BJT) - 单路

    系列：-

    晶体管类型：PNP

    电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1.5A

    电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V



目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：晶体管(BJT) - 单路

    系列：-

    晶体管类型：PNP

    电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1.5A

    电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA, 500mA

    电流 - 集电极截止（最大）：-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 150mA, 2V

    功率 - 最大：1.25W

    频率 - 转换：-

    安装类型：通孔

    封装/外壳：TO-225-3

    包装：散装

    供应商设备封装：TO225AA

    其它名称：BD140GOS


资料

厂商
ON Semiconductor

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BD140G产品

BD140G参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）500mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 150mA，2V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-225AA，TO-126-3
  • 供应商设备封装TO225AA
  • 包装散装
  • 其它名称BD140GOS

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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