STU7NM62N-H 时间：2025/7/23 9:10:14 阅读：13

STU7NM62N-H是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的STripFET F7技术，提供了低导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高效率、高功率密度的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.85Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：典型值13nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STU7NM62N-H具有多项优异特性，确保其在复杂电源系统中的稳定性和可靠性。
　　首先，该MOSFET采用了STripFET F7技术，大幅降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其导通电阻在Vgs=10V时仅为0.85Ω，使得在高电流应用中也能保持较低的功率损耗。
　　其次，该器件具有良好的热性能和高电流处理能力，适合在高温环境下运行。其TO-220FP封装形式不仅提供了良好的散热性能，而且具备较高的机械稳定性和可靠性，适用于各种工业级应用场景。
　　此外，STU7NM62N-H具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这有助于提高开关速度，降低开关损耗，从而提升整体系统效率。这一特性尤其适合高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。
　　最后，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，增强了系统的安全性和可靠性。

应用

STU7NM62N-H广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. 电源适配器与充电器：由于其低导通电阻和高效率特性，适用于笔记本电脑、智能手机等便携设备的充电电路。
　　2. DC-DC转换器：在需要高效电压转换的场合，如服务器电源、通信设备电源等，该MOSFET可有效降低能量损耗，提高转换效率。
　　3. 电机控制与驱动电路：适用于电动工具、家用电器及工业自动化设备中的电机驱动系统，提供稳定的开关控制和高效能表现。
　　4. LED照明电源：在LED驱动电源中，该器件能够提供高效率的功率转换，延长LED灯具的使用寿命。
　　5. 工业电源与UPS系统：作为高可靠性功率开关，STU7NM62N-H可用于不间断电源（UPS）、工业电源模块等关键设备中，确保系统的稳定运行。