时间：2025/6/3 21:06:54
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IPW65R048CFDA 是一款基于 Trench MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和照明系统等。而 60R041 并非标准的元器件型号，可能是与 IPW65R048CFDA 相关的参数或内部代码，建议进一步确认具体需求。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：23A
导通电阻：48mΩ
栅极电荷：78nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPW65R048CFDA 具有以下显著特性：
1. 采用先进的 Trench MOSFET 技术，确保低导通电阻和高效率。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 提供出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持高性能。
4. 封装形式为 DPAK 或 TO-263，便于散热设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 内部集成 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
IPW65R048CFDA 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. LED 照明系统的恒流控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统（BMS）和逆变器中。
IPD065R048CE, IRF65048
