STU7NF25 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的技术,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于各种高频率开关应用,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关等。STU7NF25封装形式为TO-220,便于散热并确保在高功率操作下的可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):250V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):7A
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.45Ω(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
STU7NF25具有多项优异的电气和物理特性,适合广泛的应用场景。
首先,该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),在VGS为10V时,RDS(on)仅为0.45Ω,有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。
其次,其漏源电压(VDS)高达250V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换应用。
此外,STU7NF25的连续漏极电流(ID)为7A,支持较大的负载电流,适用于中高功率应用场景,如电机驱动和电源管理。
该器件的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,确保在高功率操作下仍能维持稳定工作温度。
最后,STU7NF25的栅极驱动电压范围较宽,最大栅源电压为±20V,使其兼容多种驱动电路设计,提高了使用的灵活性。
STU7NF25由于其优异的功率处理能力和稳定性,广泛应用于多个领域。
在电源管理方面,该器件适用于AC-DC和DC-DC转换器的设计,用于高效能电源供应系统。
在电机控制电路中,STU7NF25可用作H桥结构中的开关元件,支持直流电机或步进电机的正反转控制。
此外,该MOSFET也可用于负载开关、电源保护电路以及高边开关应用,提供高效、可靠的电流控制。
在工业自动化设备中,如PLC模块和工业电源系统,STU7NF25可用于功率开关控制,确保系统的稳定运行。
同时,该器件也适用于LED照明驱动电路,特别是在需要较高输出功率的照明系统中。
STP7NF25, STP8NM50, IRF740, FQP7N25