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STU7NF25 发布时间 时间:2025/7/23 8:31:36 查看 阅读:3

STU7NF25 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的技术,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于各种高频率开关应用,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关等。STU7NF25封装形式为TO-220,便于散热并确保在高功率操作下的可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):250V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):7A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.45Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

STU7NF25具有多项优异的电气和物理特性,适合广泛的应用场景。
  首先,该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),在VGS为10V时,RDS(on)仅为0.45Ω,有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。
  其次,其漏源电压(VDS)高达250V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换应用。
  此外,STU7NF25的连续漏极电流(ID)为7A,支持较大的负载电流,适用于中高功率应用场景,如电机驱动和电源管理。
  该器件的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,确保在高功率操作下仍能维持稳定工作温度。
  最后,STU7NF25的栅极驱动电压范围较宽,最大栅源电压为±20V,使其兼容多种驱动电路设计,提高了使用的灵活性。

应用

STU7NF25由于其优异的功率处理能力和稳定性,广泛应用于多个领域。
  在电源管理方面,该器件适用于AC-DC和DC-DC转换器的设计,用于高效能电源供应系统。
  在电机控制电路中,STU7NF25可用作H桥结构中的开关元件,支持直流电机或步进电机的正反转控制。
  此外,该MOSFET也可用于负载开关、电源保护电路以及高边开关应用,提供高效、可靠的电流控制。
  在工业自动化设备中,如PLC模块和工业电源系统,STU7NF25可用于功率开关控制,确保系统的稳定运行。
  同时,该器件也适用于LED照明驱动电路,特别是在需要较高输出功率的照明系统中。

替代型号

STP7NF25, STP8NM50, IRF740, FQP7N25

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STU7NF25参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥12.72000管件
  • 系列STripFET? II
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)420 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)72W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-251(IPAK)
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA