STU7NF25 时间：2025/7/23 8:31:36 阅读：7

STU7NF25 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的技术，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种高频率开关应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关等。STU7NF25封装形式为TO-220，便于散热并确保在高功率操作下的可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

STU7NF25具有多项优异的电气和物理特性，适合广泛的应用场景。
　　首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS为10V时，RDS(on)仅为0.45Ω，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。
　　其次，其漏源电压（VDS）高达250V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用。
　　此外，STU7NF25的连续漏极电流（ID）为7A，支持较大的负载电流，适用于中高功率应用场景，如电机驱动和电源管理。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，确保在高功率操作下仍能维持稳定工作温度。
　　最后，STU7NF25的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压为±20V，使其兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。

应用

STU7NF25由于其优异的功率处理能力和稳定性，广泛应用于多个领域。
　　在电源管理方面，该器件适用于AC-DC和DC-DC转换器的设计，用于高效能电源供应系统。
　　在电机控制电路中，STU7NF25可用作H桥结构中的开关元件，支持直流电机或步进电机的正反转控制。
　　此外，该MOSFET也可用于负载开关、电源保护电路以及高边开关应用，提供高效、可靠的电流控制。
　　在工业自动化设备中，如PLC模块和工业电源系统，STU7NF25可用于功率开关控制，确保系统的稳定运行。
　　同时，该器件也适用于LED照明驱动电路，特别是在需要较高输出功率的照明系统中。