类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：60 mA
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：700 V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
　　集电极电流（IC）：200 mA
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600% @ IF = 10 mA, VCE = 5 V
　　上升时间（tr）：3 μs
　　下降时间（tf）：3 μs
　　隔离电压（Viso）：5300 VRMS
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：6-DIP（通孔）

4N70G-TM3-T光耦合器具备出色的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5300 VRMS，能够有效防止高电压对低压控制电路的干扰或损坏，特别适用于需要高安全等级的工业和电力电子系统。该器件采用GaAs红外LED与硅基光电晶体管相结合的技术，确保了稳定的光发射与接收效率，从而提供可靠的信号传输能力。其高达700V的集电极-发射极耐压（VCEO）使其能够在高压开关电路中作为反馈或驱动隔离元件使用，例如在开关电源的反馈回路中监控输出电压并传递至初级侧控制器，同时保持初级与次级之间的绝缘。电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%到600%之间，表明其具有较高的灵敏度和负载驱动能力，可在较低的输入电流下驱动后级电路，有助于降低功耗并提升系统能效。此外，该光耦的响应时间较短，上升和下降时间均为3微秒，支持中等频率的信号传输，适用于PWM控制、逻辑电平隔离、继电器驱动隔离等多种场景。器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，具备良好的环境适应性，可在严苛工业环境下稳定运行。封装符合UL、CSA、IEC/EN/DIN等国际安全标准，具备优异的绝缘爬电距离和电气间隙，增强了系统的长期可靠性。6引脚DIP封装便于手工焊接和自动化装配，广泛应用于电源适配器、逆变器、电机驱动器和工业PLC模块中。
　　

工业控制系统中的信号隔离
　　开关电源反馈回路隔离
　　交流/直流驱动器接口隔离
　　微处理器系统与外设之间的电平转换和隔离
　　可编程逻辑控制器（PLC）输入/输出模块
　　医疗设备中的安全隔离电路
　　电机控制与驱动电路
　　通信设备中的噪声抑制与隔离

4N70G
　　VOC4N70T
　　TIL700
　　EL4N70G