时间：2025/6/22 7:02:19
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SI2323DS是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制程工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景。
该器件采用微型封装，能够显著减少PCB板空间占用，同时保持出色的电气性能和热特性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：450pF（典型值）
功耗：3.6W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN8 3x3
SI2323DS具备低导通电阻，能够降低传导损耗并提高系统效率。
它还具有快速开关能力，适合高频开关应用。
由于采用了DFN8封装，其体积小巧，非常适合便携式设备和对空间要求严格的场合。
该器件具有较高的浪涌能力和稳定性，能够在严苛的工作条件下保持可靠的性能。
此外，其优异的热性能有助于在高电流环境下维持较低的结温，从而延长使用寿命。
该MOSFET广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。
典型的应用包括同步整流、负载切换、锂电池保护、降压/升压转换器、小型电机驱动以及其他需要高效功率转换的场景。
其低导通电阻和小型封装使其成为移动设备和可穿戴设备的理想选择。
IRLZ44N, FDN337N, AO3400
