时间：2025/5/27 9:15:12
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SUM110N04-04 是一款基于硅材料的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该器件采用 TO-252 封装，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，有助于提升效率并降低功耗。
该芯片特别适合需要高效率和快速开关的应用场合，其优异的电气特性和封装设计能够满足现代电子设备对紧凑性和高性能的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=9ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SUM110N04-04 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 栅极电荷较小，可有效降低驱动功耗。
4. 热稳定性强，能在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 采用 TO-252 封装形式，便于安装与散热。
6. 抗雪崩能力强，能承受一定程度的过载和瞬态条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
SUM110N04-04 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，包括无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的辅助系统中。
6. 各类高效能功率转换模块，如 UPS 和电池充电器。
SUM100N04-04, IRFZ44N, FDP16N60C
