STU10NA50 时间：2025/7/22 5:45:34 阅读：5

STU10NA50 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的超级结技术，具备低导通电阻、高击穿电压和优异的开关性能。STU10NA50的额定电压为500V，最大连续漏极电流可达10A，在电源转换器、开关电源（SMPS）、照明设备和电机驱动等应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.65Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

STU10NA50 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，首先其采用了先进的超级结结构，使器件在高电压下仍保持较低的导通损耗。其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）仅为0.65Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备高雪崩耐量，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　STU10NA50的封装采用TO-252（DPAK）形式，具有良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装工艺，便于在紧凑型设计中使用。其栅极驱动特性也较为友好，适用于常见的PWM控制电路，便于实现快速开关操作并降低开关损耗。此外，该MOSFET具有良好的抗干扰能力，适用于各种电磁环境较为复杂的工业和消费类应用。

应用

STU10NA50广泛应用于各类高电压和高效率的电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器、LED照明驱动电路、电机控制和功率因数校正（PFC）电路等。由于其具备较高的击穿电压和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的中高功率应用场合，例如工业电源、家用电器、充电器和适配器等。
　　在实际应用中，STU10NA50可作为主开关器件用于反激式或正激式电源拓扑中，也可用于半桥或全桥电路中的高频开关。此外，其优异的雪崩特性使其在面对瞬态过压和负载突变的情况下仍能保持稳定运行，适合用于需要高稳定性和安全性的电源系统。