类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：4A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.75Ω（最大2.5Ω）
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）
　　最大功率耗散（Ptot）：50W（TO-220）或60W（TO-263）
　　漏极-源极击穿电压（BVdss）：600V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V（在25°C时）
　　漏极电流（Id）在100°C时：2.5A
　　短路耐受能力：具备一定的短路保护能力
　　封装材料：塑料封装，符合RoHS标准

CS4N60 A4HD作为一款高压MOSFET，具有多项优异的电气和物理特性。首先，其600V的漏源击穿电压使其适用于高压电源系统，如AC-DC转换器、开关电源（SMPS）和高电压电机控制应用。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）在工作状态下可显著降低功率损耗，提高系统效率，同时减少了散热设计的复杂性。此外，CS4N60 A4HD具有良好的热稳定性，在高功率操作下仍能保持较低的温升，提高了系统的可靠性和寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性，并具备一定的抗过压能力。器件内部采用先进的平面工艺制造，确保了稳定的电气性能和耐用性。其封装形式（TO-220或TO-263）不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适用于自动化生产流程。
　　CS4N60 A4HD还具备优异的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定工作，适用于负载突变频繁的场合。此外，其低门极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提升高频应用中的性能表现。该器件符合RoHS环保标准，适用于工业、消费电子和通信设备等多种领域。

CS4N60 A4HD广泛应用于各类高压和高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制电路、LED照明驱动、电源管理模块以及工业自动化控制系统。
　　在开关电源中，CS4N60 A4HD可用于主功率开关，负责将输入的高压直流或交流电压转换为所需的输出电压，适用于适配器、充电器、服务器电源等设备。在DC-DC转换器中，该器件可作为高频开关，实现高效能的能量转换，适用于车载电源、电池管理系统等应用。
　　在电机控制方面，CS4N60 A4HD可作为H桥或单向驱动开关，适用于无刷直流电机（BLDC）、风扇控制、工业电机驱动等场合。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路中，作为恒流控制开关，确保LED光源的稳定工作。
　　由于其优异的抗雪崩能力和良好的热稳定性，CS4N60 A4HD也适用于负载突变频繁的工业设备，如变频器、UPS不间断电源、电焊机等。其宽栅极电压范围和低门极电荷特性也使其在高频开关应用中表现出色，适用于高频变压器驱动和高频逆变器系统。

SPW20N60C3, FQA40N60, IRFBC40, STW4N60DM2, FDMS86180