H5TQ1G63AFR-14C 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型LPDDR2 SDRAM(低功耗双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器)。该存储器专为移动设备和低功耗应用设计,具有较高的数据传输速率和较低的能耗。该芯片通常用于智能手机、平板电脑以及其他需要高性能和低功耗内存的嵌入式设备。
容量:1Gb(128MB)
组织结构:16位x8M x 8
电压:1.2V - 1.8V(核心电压和I/O电压)
时钟频率:最高支持266MHz
数据速率:533Mbps(在双倍数据速率下)
封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
引脚数量:119
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储架构:DRAM
数据总线宽度:16位
接口类型:LPDDR2 SDRAM
H5TQ1G63AFR-14C 的关键特性包括其低功耗设计,这使得它非常适合用于电池供电设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,能够在设备闲置时显著降低功耗。此外,它还支持双倍数据速率(DDR)技术,使得在相同的时钟频率下数据传输速率翻倍,从而提升了整体性能。其FBGA封装结构提供了较高的封装密度和良好的电气性能,适合高密度电路板设计。
这款DRAM芯片还具备较强的环境适应性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于各种复杂的使用环境。由于其标准化的接口设计,H5TQ1G63AFR-14C 也易于集成到现有的系统架构中,减少了开发时间和成本。
H5TQ1G63AFR-14C 主要用于移动设备和嵌入式系统中,例如智能手机、平板电脑、便携式游戏机、智能穿戴设备等。它也适用于需要高性能和低功耗内存的工业控制设备、汽车电子系统以及物联网(IoT)设备。此外,该芯片还可用于网络设备、消费类电子产品和便携式医疗设备中,为其提供高速、低功耗的数据存储解决方案。
H5TQ1G63AFR-H9C