时间：2025/9/2 3:58:20
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H5TQ1G63AFR-14C 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动型LPDDR2 SDRAM（低功耗双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器）。该存储器专为移动设备和低功耗应用设计，具有较高的数据传输速率和较低的能耗。该芯片通常用于智能手机、平板电脑以及其他需要高性能和低功耗内存的嵌入式设备。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：16位x8M x 8
电压：1.2V - 1.8V（核心电压和I/O电压）
时钟频率：最高支持266MHz
数据速率：533Mbps（在双倍数据速率下）
封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
引脚数量：119
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储架构：DRAM
数据总线宽度：16位
接口类型：LPDDR2 SDRAM
H5TQ1G63AFR-14C 的关键特性包括其低功耗设计，这使得它非常适合用于电池供电设备。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，能够在设备闲置时显著降低功耗。此外，它还支持双倍数据速率（DDR）技术，使得在相同的时钟频率下数据传输速率翻倍，从而提升了整体性能。其FBGA封装结构提供了较高的封装密度和良好的电气性能，适合高密度电路板设计。
这款DRAM芯片还具备较强的环境适应性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种复杂的使用环境。由于其标准化的接口设计，H5TQ1G63AFR-14C 也易于集成到现有的系统架构中，减少了开发时间和成本。
H5TQ1G63AFR-14C 主要用于移动设备和嵌入式系统中，例如智能手机、平板电脑、便携式游戏机、智能穿戴设备等。它也适用于需要高性能和低功耗内存的工业控制设备、汽车电子系统以及物联网（IoT）设备。此外，该芯片还可用于网络设备、消费类电子产品和便携式医疗设备中，为其提供高速、低功耗的数据存储解决方案。
H5TQ1G63AFR-H9C
