IRFR310P是由英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的场景。其采用TO-252封装形式,适合表面贴装工艺。IRFR310P以其低导通电阻和高效率著称,在工业控制、消费类电子产品和汽车电子领域都有广泛应用。
该MOSFET在设计上注重降低导通损耗和开关损耗,同时具备良好的热性能,使其能够胜任多种中等功率的应用需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:17A
导通电阻(典型值,Vgs=10V):9mΩ
栅极电荷:16nC
总电容(Ciss):2250pF
输入电容:2250pF
输出电容:840pF
反向传输电容:360pF
功耗:15W
工作温度范围:-55℃至175℃
IRFR310P是一款高性能N沟道MOSFET,具有以下显著特点:
1. 低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达17A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,得益于较小的栅极电荷和较低的寄生电容,使得开关速度更快,从而降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
5. 表面贴装封装(TO-252),易于自动化生产和组装,提升制造效率。
6. 广泛的工作温度范围(-55℃至175℃),适用于各种严苛环境下的应用。
7. 具备较高的漏源击穿电压(60V),保证了器件在高压条件下的安全性与可靠性。
IRFR310P因其优异的性能被广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器及LED驱动电源。
2. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、平板设备和其他便携式电子产品的电源管理。
3. 电机驱动:为家用电器、工业设备中的小型电机提供高效的驱动方案。
4. 工业控制:包括逆变器、伺服控制器以及其他电力电子控制系统。
5. 汽车电子:如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身电子控制单元(ECU)。
6. 电池管理系统(BMS):用于锂离子电池组的保护和能量管理。
IRFZ44N, FDP5570, SI4855DY