类型：NPN 双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

BC858-C-RTK/P 晶体管具有多项优良的电气和机械特性，确保其在多种电子电路中稳定运行。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为 30V，集电极电流可达 100mA，适用于中低功率的开关和放大应用。晶体管的封装采用 SOT-23（SC-59）小型贴片封装，便于自动化装配并节省 PCB 空间。此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的电流增益（hFE），在不同工作温度下仍能保持稳定的性能。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和消费类电子产品。
　　BC858 系列晶体管根据电流增益（hFE）分为不同等级，其中后缀“C”表示 hFE 在一定范围内的特定分档，便于用户根据设计需求选择合适的晶体管。此外，BC858-C-RTK/P 的开关速度快，适合用于数字逻辑电路和脉冲放大电路。其低饱和电压（VCE(sat)）也有助于降低功耗，提高系统效率。

BC858-C-RTK/P 主要用于通用放大和开关电路中，适用于多种电子设备。典型应用包括信号放大器、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器和电机控制、传感器接口电路以及数字开关电路。由于其 SOT-23 封装体积小、性能稳定，广泛应用于便携式电子产品、通信设备、家用电器和汽车电子系统中。此外，该晶体管也可用于电源管理电路、DC-DC 转换器中的控制级以及低功率 MOSFET 驱动器中。

BC848-C-RTK/P, BC856-C-RTK/P, 2N3904, MMBT3904