GA1210Y183JXJAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
此型号属于沟道型 MOSFET,其设计优化了热性能和电气性能,非常适合用于高频率、高效率的电子应用环境。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
总功耗(Ptot):15W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-263
GA1210Y183JXJAR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功率损耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源及 DC/DC 转换器。
3. 高雪崩击穿能量,增强了器件在异常情况下的耐受能力。
4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
5. 内置保护机制,提升了整体系统的稳定性。
6. 封装设计紧凑,便于安装和散热。
该 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换与调节。
2. 各种类型的 DC/DC 转换器。
3. 电机驱动电路,例如无刷直流电机控制器。
4. LED 驱动电路中的恒流控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制模块。
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK120Z