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GA1210Y183JXJAR31G 发布时间 时间:2025/5/27 8:44:29 查看 阅读:13

GA1210Y183JXJAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
  此型号属于沟道型 MOSFET,其设计优化了热性能和电气性能,非常适合用于高频率、高效率的电子应用环境。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ
  总功耗(Ptot):15W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y183JXJAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源及 DC/DC 转换器。
  3. 高雪崩击穿能量,增强了器件在异常情况下的耐受能力。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  5. 内置保护机制,提升了整体系统的稳定性。
  6. 封装设计紧凑,便于安装和散热。

应用

该 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换与调节。
  2. 各种类型的 DC/DC 转换器。
  3. 电机驱动电路,例如无刷直流电机控制器。
  4. LED 驱动电路中的恒流控制。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP10NK120Z

GA1210Y183JXJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-