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VMM5320BJG-R 发布时间 时间:2025/5/23 2:18:40 查看 阅读:15

VMM5320BJG-R 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-263封装形式。该元器件适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。其设计主要针对高效率、高频开关应用领域,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及负载切换等电路中。VMM5320BJG-R具备优秀的电气性能和热稳定性,同时支持表面贴装技术(SMT),能够简化制造流程并提升可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻(典型值):4.8mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关时间(开启):16ns
  开关时间(关闭):27ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

VMM5320BJG-R具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
  3. 良好的热性能,能够承受较高的功耗。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  5. 封装形式为TO-263,支持SMT工艺,便于自动化生产。
  6. 提供优异的雪崩能力和鲁棒性,增强器件在异常情况下的耐受力。

应用

VMM5320BJG-R广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 各类电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机控制。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业电子设备中的功率管理模块。
  6. 通信电源和适配器设计。

替代型号

VMM5320BFG-R, IRF540N, FDP55N06L

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