STS10DN3LH5 时间：2025/5/30 16:11:28 阅读：8

STS10DN3LH5 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它适用于多种电力电子应用场合，例如开关电源、电机驱动、负载开关以及 DC-DC 转换器等。其封装形式为 TO-220，适合于需要高效能和良好散热能力的应用场景。
　　这款 MOSFET 的设计目标是满足高效率和高可靠性的需求，同时提供较低的总功耗，从而帮助工程师实现更紧凑、更高效的系统设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻：1.7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：27nC（典型值）
　　开关时间：开启延迟时间 28ns，下降时间 17ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

STS10DN3LH5 具有以下主要特点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低传导损耗，提高整体效率。
　　2. 高电流处理能力，能够支持高达 14A 的连续漏极电流，适应大功率应用场景。
　　3. 快速的开关性能，减少开关损耗，特别适合高频操作环境。
　　4. 宽广的工作温度范围，确保在极端条件下仍能保持稳定运行。
　　5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力，提高可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代绿色设计中。

应用

STS10DN3LH5 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中的功率转换电路。
　　2. 各类电机驱动系统，如步进电机、直流无刷电机等。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代方案。
　　4. 汽车电子系统的功率管理模块。
　　5. 便携式设备中的电池充电管理和保护电路。
　　6. 高效 DC-DC 转换器和逆变器的设计。