时间：2025/9/12 13:05:37
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KU086N10P 是一款由Kec Corporation（现为KEC公司）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高电流和高功率应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种电力电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：60A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：约8.6mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
KU086N10P MOSFET采用先进的沟槽式技术，具有非常低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。其高电流承载能力使其非常适合用于高功率密度设计。该器件的封装形式通常为TO-220或TO-263，具备良好的散热性能。此外，KU086N10P具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
此器件的栅极驱动要求较低，通常只需要标准的10V驱动电压即可实现完全导通，这对于简化驱动电路设计非常有利。同时，其较高的栅极阈值电压（Vgs(th)）提供了更好的抗干扰能力，减少了误触发的风险。KU086N10P还具备良好的并联能力，便于在高功率应用中进行多管并联使用。
KU086N10P MOSFET常用于各种电源转换设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源开关电路以及工业自动化控制系统。其高可靠性和高效能也使其适用于汽车电子系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和服务器电源模块等应用领域。
IPW90R120C3DG、IRF3710、IRF1405、STP60NF10、FDP086N10
