IS61QDB22M18-250M3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的同步双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有2M x 18位的存储容量,适用于需要高带宽和低延迟的通信、网络、工业控制和数据处理应用。该型号封装为165引脚 FBGA,适合高性能系统设计。
容量:2M x 18位
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:250MHz
封装类型:165引脚 FBGA
工作温度:-40°C 至 +85°C
接口类型:同步
数据宽度:18位
功耗:低功耗设计
封装尺寸:11mm x 13mm
IS61QDB22M18-250M3 采用高性能同步架构,支持高速数据访问和低延迟传输。其双端口设计允许两个独立端口同时访问存储器,提高了数据吞吐量。
该芯片支持多种工作模式,包括流水线模式和突发模式,满足不同应用对性能的需求。此外,它具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,适用于对能效有要求的嵌入式系统。
集成的时钟同步控制确保数据在精确的时钟边缘传输,提高了系统稳定性与可靠性。工作温度范围宽,支持工业级环境下的稳定运行。
封装方面,165引脚 FBGA 提供良好的电气性能和热管理能力,适合在高密度PCB设计中使用。
IS61QDB22M18-250M3 适用于需要高速、低延迟存储器的通信设备、网络交换机、路由器、工业自动化控制系统、测试测量设备以及图像处理系统等场景。
其双端口特性和同步架构使其特别适合用于数据缓存、帧缓冲、协议转换、数据包处理等高性能应用。此外,该芯片也广泛应用于嵌入式处理器系统中的高速缓存(Cache)和临时数据存储单元。
在视频和图像处理系统中,该SRAM可用于高速图像缓冲,以实现快速的图像采集和处理。在网络通信设备中,该芯片常用于缓存数据包头、转发信息和队列管理。
IS61QDB22M18-250M3 的替代型号包括 IS61QDB22M18-275M3 和 CY7C1550KV18-250BZC。