晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　频率（fT）：100 MHz
　　增益（hFE）：110-800（根据电流不同）
　　噪声系数（NF）：1 dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

S-LBSS84WT1G 是一款高性能NPN晶体管，特别适合需要低噪声和高增益的应用。其主要特性包括宽增益范围、低噪声系数和高频率响应。
　　首先，该晶体管的增益（hFE）范围广泛，从110到800，这取决于工作电流，使其能够适应不同的放大需求。这种宽增益范围可以提高设计的灵活性，并确保在各种工作条件下都能保持稳定的性能。
　　其次，S-LBSS84WT1G的噪声系数为1 dB（典型值），这使其成为低噪声放大器的理想选择。在射频和音频应用中，低噪声系数可以减少信号失真，提高信号质量。
　　此外，该晶体管的工作频率可达100 MHz，因此适用于高频信号放大。这使得它可以在无线通信系统、广播接收器和射频前端电路中广泛应用。
　　最后，S-LBSS84WT1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的电路设计中使用。这种封装还具有良好的散热性能，能够确保晶体管在长时间工作时保持稳定。

S-LBSS84WT1G 由于其低噪声、高增益和高频特性，被广泛应用于多个领域。
　　首先，它常用于射频（RF）信号放大，特别是在接收器前端，用于增强微弱信号。这使其成为无线通信设备、广播接收器和射频测试仪器的重要组成部分。
　　其次，S-LBSS84WT1G也适用于音频放大电路，特别是在前置放大器中，用于提高音频信号的增益并减少噪声干扰。这使得它在音响系统、麦克风前置放大器和音频处理设备中得到广泛应用。
　　此外，该晶体管还适用于低噪声放大器设计，能够提供高保真的信号放大，适合用于精密测量仪器和传感器信号调理电路。
　　最后，由于其小型SOT-23封装，S-LBSS84WT1G也常用于高密度PCB设计，如便携式电子设备、嵌入式系统和消费类电子产品。

2N3904, BC547, 2N4401