STP85N15F4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术设计,具有低导通电阻(RDS(on))、高电流容量和出色的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。STP85N15F4 通常用于DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):150V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):最大15mΩ(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220、D2PAK(取决于具体型号后缀)
STP85N15F4 具备多项优异特性,使其在功率电子应用中表现卓越。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该MOSFET的高电流容量(ID=80A)使其适用于高功率密度设计,能够支持更大负载而不出现性能下降。
其次,STP85N15F4 具有优异的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作,这得益于其优化的晶圆设计和封装结构,能够有效散热并保持稳定的电气性能。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许使用不同的驱动电路配置,增强了设计灵活性。
再者,STP85N15F4 还具备快速开关特性,降低了开关损耗,并有助于提高开关电源的响应速度和整体效率。其封装形式(如TO-220和D2PAK)适合多种PCB布局需求,便于散热管理并提高装配效率。
综上所述,STP85N15F4 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,非常适合用于各种高功率、高效率的电子系统中。
STP85N15F4 广泛应用于多个工业和消费类电子领域。在电源管理方面,它常用于同步整流DC-DC转换器、电池充电器以及负载开关控制。在电机控制领域,该MOSFET可用于驱动直流电机和步进电机,提供高效的功率切换和精确的控制。
此外,STP85N15F4 还常见于工业自动化设备中的电源模块,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和工业计算机。在汽车电子系统中,它也可用于车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)和车载充电系统。
由于其优异的导通特性和高可靠性,STP85N15F4 也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用,为这些系统提供高效、稳定的功率控制解决方案。
STP100N15F4, FDP85N15, IRF1404, IPW90R150P7S