GA1206A5R6CBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率开关电源、电机驱动和工业控制等应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能,能够在高频和大电流条件下稳定工作。
此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,通过优化设计以降低开关损耗并提升整体系统效率。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:98A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
6CBCBR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升效率。
2. 快速开关能力,适用于高频操作场景,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,支持大功率应用。
4. 优秀的热稳定性,能够适应极端温度环境。
5. 内置 ESD 保护机制,增强芯片的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制,例如电动车窗、电动工具。
3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)。
4. LED 照明驱动电路。
5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关产品。
由于其高效能表现,特别适合需要高效率、高可靠性的应用场景。
GA1206A5R6CBCBR31H, IRF3205, FDP066N06L