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GA1206A5R6CBCBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:09:20 查看 阅读:8

GA1206A5R6CBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率开关电源、电机驱动和工业控制等应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能,能够在高频和大电流条件下稳定工作。
  此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,通过优化设计以降低开关损耗并提升整体系统效率。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:98A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

6CBCBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频操作场景,减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  4. 优秀的热稳定性,能够适应极端温度环境。
  5. 内置 ESD 保护机制,增强芯片的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,例如电动车窗、电动工具。
  3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. LED 照明驱动电路。
  5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关产品。
  由于其高效能表现,特别适合需要高效率、高可靠性的应用场景。

替代型号

GA1206A5R6CBCBR31H, IRF3205, FDP066N06L

GA1206A5R6CBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-