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STP60N3LH5 发布时间 时间:2025/6/4 0:33:35 查看 阅读:4

STP60N3LH5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用THT封装形式,具体为TO-220AB封装。STP60N3LH5以其低导通电阻和高效率而著称,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场景中。
  STP60N3LH5属于MDmesh?技术系列,这种技术通过优化单元结构设计,在保持较低导通电阻的同时,也确保了良好的开关性能。因此,这款器件非常适合用于需要高频开关的应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻(典型值):8.7mΩ
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220AB

特性

STP60N3LH5具有非常低的导通电阻(RDS(on)),在典型条件下仅为8.7毫欧姆。这一特性使得其传导损耗大大降低,从而提高了整体系统的效率。
  此外,该器件具备出色的热性能,可以承受较高的功耗而不至于过热。其栅极电荷相对较小,有助于减少开关过程中的能量损失。
  STP60N3LH5还拥有较快的开关速度,能够适应高频应用的需求。同时,它具有较强的抗雪崩能力,能够在异常情况下保护电路不受损坏。
  另外,由于采用了MDmesh?技术,该器件在保证低导通电阻的同时,还维持了较高的击穿电压,这使其更加可靠和稳定。

应用

STP60N3LH5主要应用于各种功率转换场合,例如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等。在这些应用中,STP60N3LH5凭借其低导通电阻和高效的功率处理能力,可以显著提升系统的整体效率。
  此外,它还可以用于电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能,或者作为电子负载中的关键元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP60NF3
  FDP5800

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STP60N3LH5参数

  • 其它有关文件STP60N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-10713-5