STP60N3LH5 时间：2025/6/4 0:33:35 阅读：4

STP60N3LH5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用THT封装形式，具体为TO-220AB封装。STP60N3LH5以其低导通电阻和高效率而著称，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场景中。
　　STP60N3LH5属于MDmesh?技术系列，这种技术通过优化单元结构设计，在保持较低导通电阻的同时，也确保了良好的开关性能。因此，这款器件非常适合用于需要高频开关的应用环境。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：11A
　　导通电阻（典型值）：8.7mΩ
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

STP60N3LH5具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在典型条件下仅为8.7毫欧姆。这一特性使得其传导损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，该器件具备出色的热性能，可以承受较高的功耗而不至于过热。其栅极电荷相对较小，有助于减少开关过程中的能量损失。
　　STP60N3LH5还拥有较快的开关速度，能够适应高频应用的需求。同时，它具有较强的抗雪崩能力，能够在异常情况下保护电路不受损坏。
　　另外，由于采用了MDmesh?技术，该器件在保证低导通电阻的同时，还维持了较高的击穿电压，这使其更加可靠和稳定。

应用

STP60N3LH5主要应用于各种功率转换场合，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。在这些应用中，STP60N3LH5凭借其低导通电阻和高效的功率处理能力，可以显著提升系统的整体效率。
　　此外，它还可以用于电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护功能，或者作为电子负载中的关键元件。