时间：2025/5/23 10:00:55
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RP122K321D-TR 是一款由 ROHM 公司生产的低导通电阻 P 沟道 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺设计，具有优异的开关性能和低功耗特性。它通常用于需要高效能、小尺寸以及高可靠性的电路中，例如负载开关、电源管理模块、电机驱动以及保护电路等。此型号采用了 DFN563 封装形式，有助于节省 PCB 空间并提高散热性能。
该芯片具备快速开关能力，同时提供较低的导通电阻 (RDS(on))，从而减少功率损耗，非常适合电池供电设备或需要高效率转换的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：-4.7A
导通电阻（典型值）：38mΩ
栅极电荷：20nC
输入电容：290pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN563 (SOT-885)
RP122K321D-TR 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，在 VGS=-4.5V 时为 38mΩ，能够显著降低导通状态下的功耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 超小型封装 DFN563，便于实现高密度设计。
4. 支持较宽的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适用于各种恶劣环境条件。
5. 高可靠性设计，具备良好的电气特性和热稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
RP122K321D-TR 广泛应用于多种电子领域，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关，如智能手机和平板电脑。
2. 各类便携式电子产品中的电源管理单元 (PMU)。
3. 开关电源适配器及 DC/DC 转换器。
4. 电池管理系统 (BMS)，用作充放电控制开关。
5. 电机驱动电路中的功率级元件。
6. 过流保护和短路保护电路中的关键组件。
7. 工业自动化设备中的信号隔离与切换功能。
RP120P03LE-TR, BSS84P, AO3401A
