时间：2025/5/16 14:24:34
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DMN3300UQ-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用超小型 MicroFET 封装。这种器件设计用于低电压、低导通电阻的应用场合，适合在便携式设备和空间受限的环境中使用。
该器件具有出色的开关性能和较低的导通电阻，适用于负载开关、DC/DC 转换器、电机驱动以及电池供电设备等应用领域。
型号：DMN3300UQ-7
封装：DSN2020-7 (MicroFET)
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：18mΩ @ Vgs=4.5V
最大连续漏极电流 Id：3.9A @ Tc=25°C
栅极电荷 Qg：3nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功耗：1.6W
DMN3300UQ-7 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 小尺寸封装，有助于节省 PCB 空间，非常适合便携式电子产品。
3. 高开关速度，可实现高效的电源管理。
4. 提供优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
这款 MOSFET 的综合性能使其成为众多低压应用的理想选择。
DMN3300UQ-7 广泛应用于以下场景：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. USB 端口保护电路。
3. 电池供电设备中的 DC/DC 转换器。
4. 小型电机驱动电路。
5. 消费类电子产品的电源管理模块。
6. 可穿戴设备和其他空间受限的应用环境。
其低导通电阻和高效率使得 DMN3300UQ-7 成为这些应用中的关键组件。
DMN3020UFG-7, DMN3023UFG-7
