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DMN3300UQ-7 发布时间 时间:2025/5/16 14:24:34 查看 阅读:17

DMN3300UQ-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用超小型 MicroFET 封装。这种器件设计用于低电压、低导通电阻的应用场合,适合在便携式设备和空间受限的环境中使用。
  该器件具有出色的开关性能和较低的导通电阻,适用于负载开关、DC/DC 转换器、电机驱动以及电池供电设备等应用领域。

参数

型号:DMN3300UQ-7
  封装:DSN2020-7 (MicroFET)
  Vds(漏源极击穿电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):18mΩ @ Vgs=4.5V
  最大连续漏极电流 Id:3.9A @ Tc=25°C
  栅极电荷 Qg:3nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  功耗:1.6W

特性

DMN3300UQ-7 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 小尺寸封装,有助于节省 PCB 空间,非常适合便携式电子产品。
  3. 高开关速度,可实现高效的电源管理。
  4. 提供优异的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
  这款 MOSFET 的综合性能使其成为众多低压应用的理想选择。

应用

DMN3300UQ-7 广泛应用于以下场景:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. USB 端口保护电路。
  3. 电池供电设备中的 DC/DC 转换器。
  4. 小型电机驱动电路。
  5. 消费类电子产品的电源管理模块。
  6. 可穿戴设备和其他空间受限的应用环境。
  其低导通电阻和高效率使得 DMN3300UQ-7 成为这些应用中的关键组件。

替代型号

DMN3020UFG-7, DMN3023UFG-7

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DMN3300UQ-7参数

  • 现有数量0现货42,000Factory查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.90491卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)193 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3