型号：CM200RXP-13T
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　二极管配置：单个
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大均方根电压（VRMS）：70V
　　最大平均整流电流（IO）：2A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压降（VF）：0.92V @ 2A, 150°C
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 100V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约70°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CM200RXP-13T的核心特性之一是其低正向导通压降，在高温条件下仍能保持优异性能，典型值仅为0.92V@2A且在150°C时测量，这显著降低了功率损耗并提高了系统效率。这种低VF特性源于其优化的肖特基势垒结构，结合铂或钛等金属与硅半导体形成的势垒层，有效减少了载流子注入所需的能量，从而实现高效的电流传导。相比传统PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr），这对于高频开关电源如同步整流、PWM控制电路尤为重要，可大幅减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　另一个关键优势在于其出色的热稳定性与可靠性。器件可在高达+150°C的结温下持续运行，确保在高温环境下长期工作的耐久性，同时支持-55°C的低温操作，适用于宽温域应用场景，如汽车电子、户外通信设备和工业控制系统。SMA封装不仅节省空间，还提供了良好的散热路径，配合适当的PCB铜箔设计可进一步降低热阻，提升功率处理能力。此外，该器件具备高达50A的非重复峰值浪涌电流承受能力，能够抵御瞬态过流冲击，例如电源启动瞬间或负载突变引起的电流尖峰，增强了系统的鲁棒性。
　　CM200RXP-13T还具备优良的反向漏电流控制能力，在125°C高温下最大反向漏电流仅为200μA，尽管相对于其他温度敏感型肖特基管略高，但在大多数实际应用中仍处于可接受范围。通过合理设计散热和工作条件，可以有效抑制漏电流增长带来的功耗上升问题。整体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，广泛用于便携式设备、LED驱动电源、电池充电管理模块及小型逆变器中。

CM200RXP-13T常用于各类中小功率开关电源系统中，特别是在DC-DC转换器中作为输出整流二极管使用，利用其低正向压降特性来提高转换效率，尤其适用于降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）拓扑结构。它也广泛应用于AC-DC适配器、USB充电器、机顶盒电源单元等消费类电子产品中，用于提供高效的整流功能。由于其快速开关响应能力，该器件非常适合用作续流二极管（Freewheeling Diode）或钳位二极管，在电机驱动、继电器控制和电感负载切换过程中吸收反电动势，防止电压尖峰损坏主控芯片。
　　在太阳能微逆变器和便携式储能设备中，CM200RXP-13T可用于防反接和能量回馈路径中的单向导通控制。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模SMT贴片工艺，提升了制造效率和产品一致性。此外，在汽车电子领域，如车载充电模块、LED照明驱动和车身控制单元中，该器件凭借宽温工作能力和高可靠性得到广泛应用。工业自动化设备中的传感器电源、PLC模块和通信接口保护电路也常采用此类肖特基二极管进行极性保护和瞬态抑制。总之，凡涉及中低电压、中小电流、高频率开关需求的应用场景，CM200RXP-13T均是一个性价比高且技术成熟的选择。

MBR2100T1G
　　SB2100
　　SS210B
　　B540CB-13-F