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STP5N95K5 发布时间 时间:2025/7/23 11:38:37 查看 阅读:12

STP5N95K5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和高功率的应用。该器件采用了先进的技术,提供了卓越的电气性能和热管理能力,适用于多种工业和汽车应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):950V
  最大漏极电流(Id):5A
  最大功耗(Ptot):125W
  导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V至4.0V
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

STP5N95K5具备多个关键特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,其高漏源击穿电压(950V)使其适用于高压系统,如电源和电机控制。其次,较低的导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该MOSFET的封装设计优化了散热性能,确保在高功率操作下的可靠性和稳定性。
  在动态性能方面,STP5N95K5具有快速开关能力,降低了开关损耗并提高了响应速度。这对于需要高频操作的应用尤为重要。该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护,从而增强系统的可靠性。
  STP5N95K5还采用了先进的制造工艺,确保了器件的一致性和稳定性。其栅极阈值电压范围适中,适合多种驱动电路配置,同时减少了误触发的风险。这些特性使得该MOSFET在各种应用中具有广泛的兼容性和灵活性。

应用

STP5N95K5广泛应用于多个领域,包括电源管理、电机驱动、工业自动化以及汽车电子系统。在电源应用中,它可用于构建高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及电池充电系统。由于其高耐压能力和低导通电阻,该器件能够在高电压输入条件下提供稳定的输出,并减少能量损耗。
  在电机控制应用中,STP5N95K5可以用于构建H桥电路,实现对直流电机或步进电机的高效控制。其快速开关特性有助于减少电机驱动过程中的功率损耗,并提高响应速度。
  此外,该MOSFET还适用于工业自动化设备中的电源开关和负载控制电路。其高可靠性和抗过载能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
  在汽车电子领域,STP5N95K5可用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)以及车用电机控制模块。其符合AEC-Q101标准的特性确保了其在汽车应用中的长期可靠性。

替代型号

STP6N95K5, STP8NM95N5, FQA5N95C

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STP5N95K5参数

  • 现有数量876现货
  • 价格1 : ¥16.77000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)220 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)70W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3