STP5N95K5 时间：2025/7/23 11:38:37 阅读：22

STP5N95K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率的应用。该器件采用了先进的技术，提供了卓越的电气性能和热管理能力，适用于多种工业和汽车应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：950V
　　最大漏极电流（Id）：5A
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

STP5N95K5具备多个关键特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（950V）使其适用于高压系统，如电源和电机控制。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作下的可靠性和稳定性。
　　在动态性能方面，STP5N95K5具有快速开关能力，降低了开关损耗并提高了响应速度。这对于需要高频操作的应用尤为重要。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，从而增强系统的可靠性。
　　STP5N95K5还采用了先进的制造工艺，确保了器件的一致性和稳定性。其栅极阈值电压范围适中，适合多种驱动电路配置，同时减少了误触发的风险。这些特性使得该MOSFET在各种应用中具有广泛的兼容性和灵活性。

应用

STP5N95K5广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机驱动、工业自动化以及汽车电子系统。在电源应用中，它可用于构建高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及电池充电系统。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件能够在高电压输入条件下提供稳定的输出，并减少能量损耗。
　　在电机控制应用中，STP5N95K5可以用于构建H桥电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。其快速开关特性有助于减少电机驱动过程中的功率损耗，并提高响应速度。
　　此外，该MOSFET还适用于工业自动化设备中的电源开关和负载控制电路。其高可靠性和抗过载能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
　　在汽车电子领域，STP5N95K5可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）以及车用电机控制模块。其符合AEC-Q101标准的特性确保了其在汽车应用中的长期可靠性。