类型：NPN 双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UF2GT/TR 晶体管具有多项显著的性能特性，使其在多种电子应用中表现出色。
　　首先，UF2GT/TR 采用 NPN 结构，具备良好的电流放大能力。其 hFE（电流增益）范围广泛，通常分为多个档位，例如 hFE 为 110-800，这使得它适用于不同增益需求的电路设计。该晶体管能够在低电压条件下提供高增益，适用于音频放大器、信号处理电路等应用。
　　其次，该晶体管的工作频率高达 100 MHz，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器等高频电路。其高频特性使其在无线通信、数据传输和无线感应系统中表现出色。
　　此外，UF2GT/TR 采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，确保晶体管在较高工作温度下仍能稳定运行。该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，适用于中低功率的电子系统。
　　值得一提的是，UF2GT/TR 具有良好的热稳定性和较低的饱和电压（Vce_sat），有助于提高能效和减少热量产生。这使得它在电池供电设备和低功耗系统中表现出色，能够有效延长设备的使用寿命。
　　最后，该晶体管具有较高的可靠性，符合 RoHS 环保标准，并支持无铅封装工艺，适用于现代环保电子产品的设计要求。

UF2GT/TR 晶体管广泛应用于多个电子领域，尤其是在需要中高频响应和低噪声放大的电路中。
　　常见应用包括射频（RF）和中频（IF）放大器，用于无线通信模块、Wi-Fi 和蓝牙设备、射频识别（RFID）系统等。其高增益和高频响应特性使其成为信号放大和调制的理想选择。
　　在音频电子设备中，UF2GT/TR 可用于前置放大器、麦克风放大器、音频混音器等电路，提供高质量的声音信号放大。
　　此外，该晶体管也常用于数字开关电路，如 LED 驱动器、继电器控制、传感器接口电路等。由于其较低的饱和电压和快速开关特性，非常适合用于低功耗嵌入式系统和便携式设备。
　　在工业自动化和控制系统中，UF2GT/TR 也可用于控制电机、继电器和执行器，适用于小型自动化设备的信号处理和驱动控制。
　　由于其 SOT-23 封装的紧凑特性，UF2GT/TR 也广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表、可穿戴设备等。

MMBT3904, BC847, 2N3904, PN2222A