2SK508-T1B 时间：2025/5/10 8:57:43 阅读：35

2SK508-T1B 是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频和高效率的开关应用。该器件采用双扩散工艺制造，具有较低的导通电阻和良好的开关特性，适合于要求高效能和低损耗的应用场景。其出色的热稳定性和可靠性使得它在电源管理、音频放大器以及各种工业控制领域中得到广泛应用。
　　2SK508-T1B 的封装形式通常为TO-3P，这种封装能够有效提升散热性能并支持较高的电流负载能力。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：40A
　　脉冲漏极电流：80A
　　导通电阻：0.018Ω
　　总功耗：160W
　　工作结温范围：-55℃ to +175℃

特性

2SK508-T1B 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
　　2. 高速开关性能，适合高频操作环境。
　　3. 良好的热稳定性，能够在高温条件下长期运行。
　　4. 较高的电流承载能力，满足大功率应用场景需求。
　　5. 稳定的电气性能，确保电路可靠运行。
　　6. TO-3P封装形式，增强散热效果，提高系统整体效能。

应用

2SK508-T1B 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）及直流-直流转换器。
　　2. 音频功率放大器中的输出级驱动。
　　3. 工业电机驱动与控制。
　　4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率管理。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
　　6. 各类电子负载保护电路。
　　该器件凭借其卓越的性能表现，在需要高效能、低功耗及高可靠性的场合尤为适用。