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AOT2500L 发布时间 时间:2025/5/7 14:42:18 查看 阅读:11

AOT2500L 是一款N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺设计,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。该器件广泛应用于各种功率转换电路、DC-DC转换器、负载开关等场景中。其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合于对空间要求严格的便携式电子设备。
  这款MOSFET因其低导通电阻特性而备受青睐,可显著降低系统功耗并提升效率。同时,它还具备快速开关速度和优秀的热性能,有助于提高系统的整体表现。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±8V
  最大漏极电流:3.9A
  导通电阻:100mΩ
  栅极电荷:4nC
  总功耗:410mW
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AOT2500L 具有以下关键特性:
  1. 超低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为100mΩ,能够有效减少导通损耗。
  2. 高速开关性能:其栅极电荷非常低(4nC),确保了快速开关能力,从而减少了开关损耗。
  3. 小型封装:采用SOT-23封装,不仅节省PCB板空间,还能满足现代电子设备对小型化的严格要求。
  4. 宽工作温度范围:支持从-55℃到150℃的工作温度区间,适用于多种环境条件下的应用。
  5. 可靠性高:经过严格的质量控制流程生产,确保长期稳定运行。

应用

AOT2500L 广泛用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理模块,如手机充电器、平板电脑适配器等。
  2. 各种开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为功率开关元件。
  3. 在电池供电设备中用作负载开关,以实现高效的电源管理。
  4. 数据通信和网络设备中的信号切换功能。
  5. 工业自动化控制领域的驱动电路组件。

替代型号

AO3400A

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AOT2500L参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥33.15000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11.5A(Ta),152A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)136 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6460 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.1W(Ta),375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3