AOT2500L 是一款N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺设计,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。该器件广泛应用于各种功率转换电路、DC-DC转换器、负载开关等场景中。其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合于对空间要求严格的便携式电子设备。
这款MOSFET因其低导通电阻特性而备受青睐,可显著降低系统功耗并提升效率。同时,它还具备快速开关速度和优秀的热性能,有助于提高系统的整体表现。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±8V
最大漏极电流:3.9A
导通电阻:100mΩ
栅极电荷:4nC
总功耗:410mW
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AOT2500L 具有以下关键特性:
1. 超低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为100mΩ,能够有效减少导通损耗。
2. 高速开关性能:其栅极电荷非常低(4nC),确保了快速开关能力,从而减少了开关损耗。
3. 小型封装:采用SOT-23封装,不仅节省PCB板空间,还能满足现代电子设备对小型化的严格要求。
4. 宽工作温度范围:支持从-55℃到150℃的工作温度区间,适用于多种环境条件下的应用。
5. 可靠性高:经过严格的质量控制流程生产,确保长期稳定运行。
AOT2500L 广泛用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的电源管理模块,如手机充电器、平板电脑适配器等。
2. 各种开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为功率开关元件。
3. 在电池供电设备中用作负载开关,以实现高效的电源管理。
4. 数据通信和网络设备中的信号切换功能。
5. 工业自动化控制领域的驱动电路组件。
AO3400A