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GA1210Y684KXXAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 18:28:36 查看 阅读:6

GA1210Y684KXXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计。该器件主要应用于需要高效能和低功耗的场景中,具有出色的开关特性和导通性能。其优化的结构设计使其能够在高频条件下保持较低的导通电阻,从而有效降低功率损耗。
  这款功率MOSFET适用于广泛的工业和消费类电子领域,例如电源管理模块、电机驱动器、DC-DC转换器以及负载开关等应用。凭借其高可靠性和耐用性,GA1210Y684KXXAR31G 成为众多设计工程师在功率转换和控制电路中的首选元件。

参数

类型:功率MOSFET
  极性:N沟道
  最大漏源电压(Vds):12V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):70W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y684KXXAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通状态下的功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的电流承载能力,能够满足大功率系统的需求。
  4. 良好的热稳定性,在高温条件下仍能保持优异的性能。
  5. 高可靠性设计,确保长期使用过程中的稳定表现。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得 GA1210Y684KXXAR31G 在多种复杂环境中表现出色,特别适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
  2. 电机驱动和逆变器电路。
  3. 电池管理系统(BMS)。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 汽车电子和工业自动化设备。
  6. 高效节能的家电产品。
  通过在这些领域的应用,GA1210Y684KXXAR31G 展现了卓越的性能和灵活性,成为现代电子设计的重要组成部分。

替代型号

GA1210Y684KXXBR31G
  IRFZ44N
  FDP5501
  STP10NK06Z

GA1210Y684KXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-