您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CSD86350Q5D

CSD86350Q5D 发布时间 时间:2025/5/6 14:20:59 查看 阅读:22

CSD86350Q5D是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的集成半桥功率级芯片,专为高效率和高频率开关应用设计。它将一个高端和低端GaN FET与驱动器集成在一起,从而简化了电路设计并提升了性能。该器件适用于需要高效能和快速动态响应的应用场景,例如数据中心电源、电信设备、服务器电源以及工业AC-DC转换器等。
  这款芯片采用PowerStack封装形式,能够显著减少寄生电感,同时支持高达1.7 MHz的工作频率。其卓越的热性能和高电流处理能力使得CSD86350Q5D成为现代高效功率转换的理想选择。

参数

型号:CSD86350Q5D
  制造商:德州仪器(TI)
  封装类型:PowerStack?
  工作电压范围:4.5V 至 17V
  最大RDS(on) 高端FET:7.5mΩ 典型值
  最大RDS(on) 低端FET:4mΩ 典型值
  连续输出电流:约50A
  工作频率:最高可达1.7MHz
  输入电容:250pF
  关断时间:典型值30ns
  逻辑输入兼容性:TTL 和 CMOS
  保护功能:欠压锁定(UVLO)

特性

CSD86350Q5D采用了先进的氮化镓(GaN)技术,具备极低的导通电阻(RDS(on)),可有效降低传导损耗。此外,它的高频运行能力使其非常适合用于小型化设计。该器件内部集成了优化的栅极驱动器,可以最大限度地减少死区时间和交叉导通的风险。
  由于采用了PowerStack封装技术,CSD86350Q5D在散热性能上表现优异,且大幅降低了寄生电感的影响。这种封装形式还允许芯片堆叠安装,从而节省PCB空间。
  另外,CSD86350Q5D具有良好的电磁干扰(EMI)性能,并提供全面的保护机制,如欠压锁定(UVLO),确保在异常条件下安全运行。
  总体而言,这款芯片通过结合GaN晶体管的高性能特性和集成驱动器的便利性,实现了更高的功率密度和更简单的系统设计。

应用

CSD86350Q5D主要应用于需要高效率和高频工作的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 数据中心电源模块
  2. 电信基础设施中的AC-DC转换
  3. 服务器和网络设备的电源管理
  4. 图形处理器(GPU)供电
  5. 工业自动化设备中的高效开关电源
  6. 大功率LED驱动器
  7. 快速充电适配器以及其他消费类电子产品中的高效电源解决方案

替代型号

LMG3411R030, CSD88584Q5D

CSD86350Q5D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CSD86350Q5D参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 特色产品CSD86350Q5D Synchronous Buck NexFET? Power Block
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列NexFET™
  • FET 型2 N 沟道(半桥)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 20A,8V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1870pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大13W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-27532-6