时间：2025/5/6 14:20:59
阅读：37
CSD86350Q5D是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的集成半桥功率级芯片，专为高效率和高频率开关应用设计。它将一个高端和低端GaN FET与驱动器集成在一起，从而简化了电路设计并提升了性能。该器件适用于需要高效能和快速动态响应的应用场景，例如数据中心电源、电信设备、服务器电源以及工业AC-DC转换器等。
这款芯片采用PowerStack封装形式，能够显著减少寄生电感，同时支持高达1.7 MHz的工作频率。其卓越的热性能和高电流处理能力使得CSD86350Q5D成为现代高效功率转换的理想选择。
型号：CSD86350Q5D
制造商：德州仪器（TI）
封装类型：PowerStack?
工作电压范围：4.5V 至 17V
最大RDS(on) 高端FET：7.5mΩ 典型值
最大RDS(on) 低端FET：4mΩ 典型值
连续输出电流：约50A
工作频率：最高可达1.7MHz
输入电容：250pF
关断时间：典型值30ns
逻辑输入兼容性：TTL 和 CMOS
保护功能：欠压锁定（UVLO）
CSD86350Q5D采用了先进的氮化镓（GaN）技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低传导损耗。此外，它的高频运行能力使其非常适合用于小型化设计。该器件内部集成了优化的栅极驱动器，可以最大限度地减少死区时间和交叉导通的风险。
由于采用了PowerStack封装技术，CSD86350Q5D在散热性能上表现优异，且大幅降低了寄生电感的影响。这种封装形式还允许芯片堆叠安装，从而节省PCB空间。
另外，CSD86350Q5D具有良好的电磁干扰（EMI）性能，并提供全面的保护机制，如欠压锁定（UVLO），确保在异常条件下安全运行。
总体而言，这款芯片通过结合GaN晶体管的高性能特性和集成驱动器的便利性，实现了更高的功率密度和更简单的系统设计。
CSD86350Q5D主要应用于需要高效率和高频工作的领域，包括但不限于以下方面：
1. 数据中心电源模块
2. 电信基础设施中的AC-DC转换
3. 服务器和网络设备的电源管理
4. 图形处理器（GPU）供电
5. 工业自动化设备中的高效开关电源
6. 大功率LED驱动器
7. 快速充电适配器以及其他消费类电子产品中的高效电源解决方案
LMG3411R030, CSD88584Q5D
