类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：40A @ TC=25℃
　　脉冲漏极电流(Idm)：160A
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.018Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃

STP40NF06具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值为0.018Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，其最大漏源电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压功率转换场合。漏极电流额定值高达40A，在高功率负载下仍能稳定运行。此外，该器件采用了先进的封装技术，采用TO-220或D2PAK（表面贴装）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于散热设计和PCB布局。
　　STP40NF06的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路，确保稳定可靠的开关操作。其高开关速度和低栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，提升整体能效。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在高压冲击环境下的耐用性。此外，该MOSFET具有较高的热阻性能，能在高温环境下保持稳定运行，适用于工业级和车载电子等严苛环境。

STP40NF06广泛应用于多种功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电管理系统、电机驱动器、功率开关电路以及各类电源模块。在电动车、工业自动化、通信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。例如，在同步整流拓扑中，该器件可有效降低导通损耗并提高转换效率；在电机驱动电路中，其高电流能力和快速开关特性可实现精确的转矩控制和高效能输出；在电池管理系统中，该MOSFET可用于高边或低边开关，实现对电池充放电过程的智能控制。

IRFZ44N, STP30NF06, STP55NF06