时间：2025/9/8 13:14:31
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80MXG6800M35X40 是一款由 Micron（美光）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）模块，属于高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）类别。这款内存模块专为高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、图形处理（GPU）以及网络设备等需要极高数据吞吐能力的应用场景设计。HBM 技术通过 3D 堆叠和硅通孔（TSV, Through Silicon Via）技术实现更高的带宽和更小的封装体积。
类型：HBM DRAM
容量：8GB
带宽：6800 Mbps
电压：1.3V
封装尺寸：35mm x 40mm
接口：HBM2
温度范围：0°C 至 85°C
封装形式：FCBGA（倒装芯片球栅阵列）
80MXG6800M35X40 的核心特性之一是其采用了 HBM2 标准，支持高达 6800 Mbps 的数据传输速率，使得内存带宽显著提升，适合需要大量数据并行处理的应用。模块采用 3D 堆叠技术，将多个 DRAM 芯片垂直堆叠并通过硅通孔连接，从而减少了内存的物理占用空间并降低了功耗。
该模块的工作电压为 1.3V，相比传统 GDDR5 或 DDR4 内存具有更低的功耗表现。其工作温度范围为 0°C 至 85°C，适应于多种工业和高性能计算环境。封装尺寸为 35mm x 40mm，采用 FCBGA（倒装芯片球栅阵列）封装方式，提供了良好的电气性能和机械稳定性。
此外，80MXG6800M35X40 支持多通道访问，每个 DRAM 堆栈内部包含多个独立的内存通道，进一步提升了整体的内存带宽。这种设计特别适合用于 GPU、FPGA 和 AI 加速器等对内存带宽要求极高的系统架构。
80MXG6800M35X40 主要用于高性能计算、人工智能加速、图形处理单元（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）、网络交换设备以及高端游戏显卡等需要极高内存带宽和低功耗的场景。其高带宽特性使其在深度学习训练和推理、实时图像渲染、大规模数据库处理等任务中表现出色。
由于其紧凑的封装尺寸和优异的热性能，该内存模块也非常适合用于空间受限但需要高性能内存的嵌入式系统和边缘计算设备。此外，它在数据中心加速器、自动驾驶计算平台和工业自动化设备中也有广泛的应用潜力。
HBM2-8GB-6800, H5TC8G64A4M-X40C, HBM2-6800-8GB
