BSP296N是一款N沟道增强型功率MOSFET,由英飞凌(Infineon)生产。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用,具有良好的导通特性和快速的开关速度。BSP296N采用PG-TO220封装,适用于多种工业和汽车电子应用。其高耐压能力和低导通电阻使其在电源管理和电机控制领域具有广泛的应用前景。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):80A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):12.5mΩ(最大值,Vgs=10V)
栅极电压(Vgs):±20V
最大功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55°C至175°C
BSP296N的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。其低Rds(on)特性减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度。BSP296N的封装设计提供了良好的散热性能,使其能够在高功率应用中稳定工作。其高耐压能力确保了在高压环境下的可靠运行,并且具有较强的抗过载和短路能力,适合在严苛的工作条件下使用。
BSP296N广泛应用于电源管理系统、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器和汽车电子系统。在工业自动化设备中,它常用于高频开关电源和逆变器中,以实现高效的能量转换。此外,该器件还可用于电动工具、电动车和可再生能源系统中的功率控制部分。
IPW90R120C3, FDPF80N10