时间：2025/9/14 23:30:05
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PTVS58VS1UR,115 是由NXP Semiconductors生产的一款静电放电（ESD）保护二极管，专为在高速数据线路中提供可靠的静电放电保护而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术，能够快速响应并有效吸收静电放电能量，从而保护下游的敏感电子元件免受损坏。该器件采用SOT-23封装，适合用于空间受限的应用。PTVS58VS1UR,115广泛应用于通信设备、消费电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中。
类型：ESD 保护二极管
工作电压：5.8V
最大钳位电压：13.3V（在Ipp = 1A时）
反向击穿电压：6.44V（最小值）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A
漏电流：1μA（最大值）
封装形式：SOT-23
引脚数：3
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
湿度等级：1级
RoHS合规性：是
PTVS58VS1UR,115是一款高效的ESD保护器件，具备快速响应时间和低钳位电压的特点，能够有效保护电路免受静电放电的损害。其采用了先进的硅雪崩技术，能够在发生静电放电事件时迅速导通，并将电压钳制在一个安全的水平，从而防止电压过高而损坏下游的敏感电子元件。
此外，该器件具有低电容特性，非常适合用于高速数据线路保护，如USB接口、HDMI接口、以太网端口等应用。其低电容特性可以确保信号完整性不受影响，从而保证数据传输的稳定性和可靠性。
PTVS58VS1UR,115采用SOT-23封装，体积小巧，适合用于空间受限的设计中。该封装形式还提供了良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而提高器件的稳定性和寿命。
该器件的漏电流非常低，通常小于1μA，因此在正常工作条件下对系统功耗的影响极小。同时，该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在恶劣的工作环境中长时间稳定运行。
此外，PTVS58VS1UR,115符合RoHS指令，不含有害物质，适用于环保要求较高的应用场合。
PTVS58VS1UR,115主要用于为高速数据线路提供静电放电保护。其典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485接口等通信接口的保护。此外，该器件也可用于消费电子产品、工业控制系统、汽车电子系统中的静电放电保护。在汽车电子系统中，它可以用于保护车载通信接口、传感器接口、控制模块等关键部件免受静电放电的损害。
PESD5V0S1UR,115, PESD5V0S1BA,115, PESD5V0S1BL,115
