STP3NA100FP 时间：2025/7/23 12:29:49 阅读：7

STP3NA100FP 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化以及各种高效率功率转换设备中。该器件封装为FP（PowerFlat封装），具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为180mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：13nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFlat（5x6mm）
　　功耗（Ptot）：2.5W

特性

STP3NA100FP 具有多个优异的电气和热性能特点，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其100V的漏源耐压能力使其适用于多种中压功率转换电路，如DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下功耗最小，提高了整体效率。
　　此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，增强了电流承载能力和热稳定性。PowerFlat封装不仅尺寸小巧，适合高密度PCB布局，而且具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　STP3NA100FP还具备快速开关能力，栅极电荷仅为13nC，使得开关损耗显著降低，从而适用于高频开关应用。其工作温度范围为-55°C至175°C，确保在极端环境下的稳定运行。
　　该器件的封装设计符合RoHS标准，支持无铅工艺，适用于现代环保型电子产品制造。

应用

STP3NA100FP 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用领域：
　　1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
　　2. 电机控制：用于H桥驱动、步进电机和直流电机的控制电路。
　　3. 工业自动化：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和执行器的电源管理模块。
　　4. 消费类电子产品：例如智能家电、LED照明调光系统和电源适配器。
　　5. 通信设备：用于基站电源模块、路由器和交换机的功率调节电路。
　　6. 汽车电子：如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。