时间：2025/9/14 7:50:09
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PSMN1R5-25MLHX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种电力电子系统。该MOSFET采用先进的Trench技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，同时封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有良好的热性能和空间利用率，非常适合高密度电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）@25°C：120A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：1.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：2.2mΩ
功率耗散（Ptot）：95W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN1R5-25MLHX MOSFET具备多项先进的电气和热性能特点。其采用的Trench工艺技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在Vgs=4.5V时，Rds(on)仅为1.5mΩ，即使在低电压驱动条件下（如Vgs=2.5V）也能保持较低的导通电阻（2.2mΩ），这使得它适用于由数字电源或低电压控制器驱动的应用场景。
该器件的漏极电流能力高达120A，在高功率负载下依然能够稳定运行。其LFPAK56封装不仅体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，还提供了出色的热传导性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性和稳定性。封装材料符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。
此外，PSMN1R5-25MLHX具有良好的短路耐受能力和抗雪崩击穿能力，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持与多种类型的栅极驱动器兼容，增强了设计灵活性。
PSMN1R5-25MLHX广泛应用于需要高效能功率开关的各类电力电子设备中。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关以及服务器和电信设备的电源模块。其优异的导通特性和热管理能力也使其成为车载充电系统、电动工具和工业自动化设备中的理想选择。
PSMN022-25MLH, PSMN1R8-25MLH, PSMN2R8-25YLC
