时间：2025/8/15 2:13:28
阅读：17
SVT20100UB 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高电压、高频率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于诸如电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器等电力电子应用。SVT20100UB 的封装形式通常为 TO-247，便于散热和在高功率应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：20A
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.55Ω
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
SVT20100UB 具备一系列高性能特性，使其在高电压和高频率应用中表现出色。首先，其高漏源电压（VDS）耐压能力达到 1000V，使得该器件适用于高电压电源转换系统。其次，该 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）较低，典型值为 0.55Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，SVT20100UB 具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和逆变器拓扑结构，从而减小磁性元件的尺寸并提升功率密度。其 TO-247 封装具备良好的热性能，有助于在高功率运行时有效散热。另外，该器件还具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于工业级应用环境。最后，±30V 的栅源电压耐受能力使其在栅极驱动设计上更具灵活性，降低了因栅极电压波动而损坏器件的风险。
SVT20100UB 还具备优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统在异常工况下的稳定性。其设计优化了开关损耗，减少了能量损耗并提高了整体能效。这使得该 MOSFET 在电源管理系统、工业电机控制以及太阳能逆变器等应用中表现优异。
SVT20100UB 广泛应用于需要高电压和高频率开关性能的电力电子系统中。其典型应用场景包括高频开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于照明系统中的电子镇流器、电池充电器和电焊设备等高电压应用场合。由于其具备优异的热性能和可靠性，SVT20100UB 也常用于高温环境下运行的工业控制系统。
STW20100UB, STW201K50UB, STP20100UB
