时间：2025/4/29 13:37:37
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FHW1812IF560JST 是一款功率 MOSFET 芯片，采用先进的沟槽式结构设计，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景中，能够提供高效率和低损耗的性能表现。
此器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，同时具备出色的热特性和电气稳定性，适用于对功率密度要求较高的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：94A
导通电阻（典型值）：3.7mΩ
栅极电荷：88nC
输入电容：3060pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻保证了高效能转换，减少了导通损耗。
2. 高电流承载能力使得该器件可以满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，提升了整体效率。
4. 优秀的热稳定性确保了在极端温度条件下依然能够可靠运行。
5. 小型化封装设计有助于节省电路板空间，提高功率密度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 及逆变器部分。
FCH18N60, IRF540N, STP90NF06L
