时间：2025/6/26 12:25:22
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STP24NM65N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效率、高频开关应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 650V，能够承受较高的漏源电压，同时其连续漏极电流能力达到 24A，适用于需要大电流处理的场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：24A
栅极阈值电压：3V 至 4V
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：0.18Ω
总功耗：260W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
STP24NM65N 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：650V 的漏源电压使其适用于高压环境下的功率转换电路。
2. 低导通电阻：典型值仅为 0.18Ω，减少了导通损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关性能：优化的内部结构设计降低了开关损耗，从而支持高频操作。
4. 高可靠性：具备强大的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下保持稳定工作。
5. 紧凑封装：采用 TO-220 封装形式，便于安装和散热管理。
这些特性使得 STP24NM65N 成为众多功率电子应用的理想选择。
STP24NM65N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 反激式变换器
- 正激式变换器
2. 电机驱动：
- 工业控制中的无刷直流电机驱动
- 家电设备中的小型电机控制
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源（UPS）
4. LED 驱动器：
- 高亮度 LED 照明系统
由于其出色的电气性能和可靠性，STP24NM65N 能够在这些应用中提供高效的功率转换和稳定的运行表现。
STP24NM60, IRF840, BUZ11
