类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FFPF10UP40S具备多个优异特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在高电流应用中效果更为明显。其次，该器件采用先进的沟槽结构设计，提高了载流能力和热稳定性，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
　　此外，该MOSFET具有优异的开关性能，能够实现快速的开关动作，减少开关损耗，并提高系统的响应速度。这对于高频开关电源和DC-DC转换器尤为重要。其高栅极电压容限（±20V）也提高了器件在复杂工况下的抗干扰能力，降低了因电压波动而导致的失效风险。
　　FFPF10UP40S采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产。其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业、汽车、通信等高要求领域。

该器件广泛应用于各种电源管理系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在汽车电子中，FFPF10UP40S常用于车载充电器、LED照明驱动、车身控制模块等场合。此外，其高可靠性和良好热性能也使其适用于工业自动化设备、通信电源模块和高效能服务器电源系统。

IPD10N40C3, FDPF10N40, FDS4410, FDS4415