时间：2025/6/17 11:28:03
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CL31A475KAHNNNE是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。它具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
该型号属于沟道型MOSFET，能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的抗干扰能力，适合在高频开关电路中使用。
型号：CL31A475KAHNNNE
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：475V
Rds(on)（导通电阻）：280mΩ
Id（连续漏极电流）：10A
Qg（栅极电荷）：65nC
Vgs(th)（阈值电压）：3V
Pd（最大功耗）：210W
Tj（工作结温范围）：-55℃ to +175℃
封装：TO-247
CL31A475KAHNNNE具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了更低的功率损耗，从而提高了系统效率。
2. 高耐压能力，使其能够在高压环境中稳定运行。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，进一步优化了整体效能。
4. 热稳定性强，即使在高温条件下也能保持良好的性能。
5. 可靠性高，适用于工业级和汽车级应用。
6. 封装形式为TO-247，便于散热和安装，满足大功率应用需求。
这些特性使得CL31A475KAHNNNE成为许多高要求应用场景中的理想选择。
CL31A475KAHNNNE广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动电路，尤其是直流无刷电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理部分。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制模块。
6. 其他需要高压、大电流处理能力的电子设备中。
IRFP460PBF
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