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PSMN9R5-100PS,127 发布时间 时间:2025/6/12 18:35:29 查看 阅读:7

PSMN9R5-100PS,127 是一款由 NXP(恩智浦)生产的功率 MOSFET。该器件属于 PSMN 系列,采用 TrenchMOS 技术制造,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。其封装形式为 SO-8,适合用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。
  该型号中的参数解释如下:PSMN 表示系列名称,9R5 表示导通电阻为 9.5 毫欧(典型值),100 表示耐压等级为 100V。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:36A
  导通电阻(典型值):9.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关速度:快速
  封装:SO-8
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

PSMN9R5-100PS,127 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(9.5mΩ 典型值),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力(36A 连续漏极电流),使其能够适应大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,具备低栅极电荷和低反向恢复电荷,非常适合高频开关电路。
  4. 强固的设计和高可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。
  5. 小巧的 SO-8 封装,节省 PCB 空间且易于集成到各种设计中。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
  4. 汽车电子系统中的继电器替代和负载切换。
  5. LED 驱动器和照明控制系统。
  6. 通信设备中的功率级管理和信号调节。
  由于其高性能和可靠性,PSMN9R5-100PS,127 成为许多工程师在功率转换和开关应用中的首选元件。

替代型号

PSMN0R9-100PS, PSMN1R0-100PS, PSMN1R2-100PS

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PSMN9R5-100PS,127参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C89A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.6 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs82nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4454pF @ 50V
  • 功率 - 最大211W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件