时间：2025/8/5 22:16:16
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IXFT28N50Q 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高电压、高电流的应用设计。该器件具有优异的热性能和高可靠性，适用于工业电源、逆变器、电动工具以及各种高功率开关应用。该 MOSFET 采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能和电气隔离特性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：28A（在25°C）
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.14 欧姆
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFT28N50Q 具备一系列优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的高耐压能力（500V）使其适用于多种高压系统，如电源转换器和马达驱动器。其次，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，TO-247 封装提供了良好的热管理和电气隔离，确保在高功率环境下稳定运行。
这款 MOSFET 还具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外围元件的尺寸并提升整体系统性能。其高雪崩能量承受能力进一步增强了器件的可靠性，使其能够在极端工作条件下保持稳定。
此外，IXFT28N50Q 的设计符合 RoHS 环保标准，适合在各种工业和消费类应用中使用。其坚固的结构和优异的热稳定性也使其能够在高温环境中长期运行。
IXFT28N50Q 主要应用于需要高电压、高电流能力的电力电子系统中。典型应用包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、焊接设备、电机控制、高功率开关电路、充电器以及各种电力转换设备。由于其优异的热管理和可靠性，该器件也常用于恶劣环境下的高可靠性系统，如自动化设备和工业控制系统。
IXFN28N50Q, IRFP460LC, FGA25N50, FDPF28N50
