时间：2025/6/3 23:07:38
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STP10NK70ZFP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装形式。该器件适用于高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
STP10NK70ZFP的额定电压为700V，能够承受高压环境下的工作需求，同时其最大连续漏极电流可达10A（在25℃结温下）。该器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电荷，从而提升了系统整体效率。
最大漏源电压：700V
最大连续漏极电流：10A
最大漏源击穿电压：700V
RDS(on)（最大值，在ID=4.8A, VGS=10V条件下）：0.9Ω
栅极电荷（典型值）：35nC
输出电荷（典型值）：85nC
开关时间（典型值，tr+tf）：40ns
功耗：6W（Tc=25℃时的最大功耗）
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 高压耐受能力，额定电压高达700V，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻RDS(on)，可减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷和输出电荷，适合高频开关应用。
4. 较宽的工作温度范围（-55℃至175℃），确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 封装形式为DPAK（TO-252），便于表面贴装及散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 逆变器和转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各类工业自动化设备中的负载开关。
5. LED驱动器中的功率级组件。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护与切换功能实现。
IRF840,
STP16NF55,
FDP17N50,
IXTH10N75P3,
STP10NM60,
STL11N60DM4
