STP10NK70ZFP 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件适用于高效率开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
STP10NK70ZFP的额定电压为700V,能够承受高压环境下的工作需求,同时其最大连续漏极电流可达10A(在25℃结温下)。该器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电荷,从而提升了系统整体效率。
最大漏源电压:700V
最大连续漏极电流:10A
最大漏源击穿电压:700V
RDS(on)(最大值,在ID=4.8A, VGS=10V条件下):0.9Ω
栅极电荷(典型值):35nC
输出电荷(典型值):85nC
开关时间(典型值,tr+tf):40ns
功耗:6W(Tc=25℃时的最大功耗)
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 高压耐受能力,额定电压高达700V,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻RDS(on),可减少传导损耗,提高效率。
3. 快速开关性能,具备较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频开关应用。
4. 较宽的工作温度范围(-55℃至175℃),确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 封装形式为DPAK(TO-252),便于表面贴装及散热设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 逆变器和转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各类工业自动化设备中的负载开关。
5. LED驱动器中的功率级组件。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护与切换功能实现。
IRF840,
STP16NF55,
FDP17N50,
IXTH10N75P3,
STP10NM60,
STL11N60DM4