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STP10NK70ZFP 发布时间 时间:2025/6/3 23:07:38 查看 阅读:5

STP10NK70ZFP 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件适用于高效率开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
  STP10NK70ZFP的额定电压为700V,能够承受高压环境下的工作需求,同时其最大连续漏极电流可达10A(在25℃结温下)。该器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电荷,从而提升了系统整体效率。

参数

最大漏源电压:700V
  最大连续漏极电流:10A
  最大漏源击穿电压:700V
  RDS(on)(最大值,在ID=4.8A, VGS=10V条件下):0.9Ω
  栅极电荷(典型值):35nC
  输出电荷(典型值):85nC
  开关时间(典型值,tr+tf):40ns
  功耗:6W(Tc=25℃时的最大功耗)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 高压耐受能力,额定电压高达700V,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻RDS(on),可减少传导损耗,提高效率。
  3. 快速开关性能,具备较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频开关应用。
  4. 较宽的工作温度范围(-55℃至175℃),确保在极端环境下仍能稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 封装形式为DPAK(TO-252),便于表面贴装及散热设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 逆变器和转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 各类工业自动化设备中的负载开关。
  5. LED驱动器中的功率级组件。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护与切换功能实现。

替代型号

IRF840,
  STP16NF55,
  FDP17N50,
  IXTH10N75P3,
  STP10NM60,
  STL11N60DM4

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STP10NK70ZFP参数

  • 其它有关文件STP10NK70ZFP View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)700V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-12602-5STP10NK70ZFP-ND