时间：2025/6/22 14:45:43
阅读：5
SI2347DS-T1-E3是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TrenchFET Gen III技术，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高频、高效能的应用场景。
该芯片广泛用于便携式设备中的负载切换、DC/DC转换器、同步整流以及电机控制等应用领域。
型号：SI2347DS-T1-E3
封装：DFN8（3x3mm）
最大漏源电压(V_DS)：30V
最大栅源电压(V_GS)：±8V
连续漏极电流(I_D)：9.2A
导通电阻(R_DS(on))：5.5mΩ（典型值，V_GS=10V时）
总功耗(P_TOT)：1.1W
工作温度范围(T_J)：-55°C至+150°C
栅极电荷(Q_g)：15nC（典型值）
反向恢复时间(t_rr)：36ns（典型值）
SI2347DS-T1-E3采用了先进的TrenchFET技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻R_DS(on)，能够在高电流应用中显著减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频开关电源及DC/DC转换器。
3. 小巧的DFN8封装设计，节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
4. 高效的热管理能力，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 支持宽范围的工作温度，适应多种工业和消费类应用场景。
SI2347DS-T1-E3适用于以下应用场景：
1. 笔记本电脑和移动设备的负载切换。
2. DC/DC转换器和降压/升压转换器中的开关元件。
3. 同步整流电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和控制。
5. 小型电机驱动和控制系统。
6. 其他需要高性能功率开关的场合。
SI2306DS, SI2309DS, SiA235DJ
